Número de Producto del Fabricante:
BSB017N03LX3 G
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSB017N03LX3 G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 147A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventario:
12799180
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ENVIAR
BSB017N03LX3 G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32A (Ta), 147A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7800 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / Caja
3-WDSON
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSB017N03LX3 GDKR-DG
BSB017N03LX3GTR
BSB017N03LX3GXT
BSB017N03LX3 GCT
BSB017N03LX3 GTR-DG
BSB017N03LX3 GDKR
BSB017N03LX3GCT
BSB017N03LX3 GCT-DG
BSB017N03LX3GDKR
BSB017N03LX3G
BSB017N03LX3 G-DG
SP000604468
BSB017N03LX3GXUMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSB013NE2LXIXUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
BSB013NE2LXIXUMA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.85
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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